在AI伺服電源供應器 SR MOSFETs領域,多家設計製造商(ODM)客戶目前正主導相關開發工作,藉由整合先進的導熱材料和專業的封裝模組技術。

力源將MOSFET晶片設計整合於一體封裝方案,目前兩方正在共同開發AI伺服機的主機板MOSFETs晶片。目標是預計在2026年達到量產

在AI伺服器的領域,MOSFETs必須擁有幾個關鍵的優勢以確保MOSFETs的高效能和可靠度。以下三點為主要層面:

1.高效能和低能耗

MOSFETs的低Rds(on)能大幅減少功耗損失,確保AI伺服器的應用既有能源效能又有高效表現

2.熱能管理和可靠度

MOSFETs 優異的熱管理與可靠性,才能在高功率、高密度、長時間運行的環境下維持高效率與穩定性能

3.快速切換和低閘體電荷

驅動MOSFET的功耗很小,使得閘體的開關能夠快速反應,進而提高效能。如此一來,總功耗降低,被動元件(電感、電容) 體積縮小,單位功耗提升

Product

Power MOSFET Solution

Part NumberStatusPackageTj max (°C)QualificationConfigurationTypeESD ProtectVDS (V)VGS(±V)ID (A)PD (W)Ron@10V(mΩ)Ron@4.5V(mΩ)Ron@2.5V(mΩ)Ron@1.8V(mΩ)VGS(th)(typV)VGS(th)(maxV)Ciss(pF)Coss(pF)Crss(pF)Qg*(nC)@4.5VQg*(nC)@10VQgs(nC)Qgd(nC)Trr(ns)Qrr(nC)
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Part NumberStatusPackageTj max (°C)QualificationConfigurationTypeESD ProtectVDS (V)VGS(±V)ID (A)PD (W)Ron@10V(mΩ)Ron@4.5V(mΩ)Ron@2.5V(mΩ)Ron@1.8V(mΩ)VGS(th)(typV)VGS(th)(maxV)Ciss(pF)Coss(pF)Crss(pF)Qg*(nC)@4.5VQg*(nC)@10VQgs(nC)Qgd(nC)Trr(ns)Qrr(nC)

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