全球新能源車與汽車電子化趨勢成形，整合元件製造(IDM)大廠紛積極搶進二極體、金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、絕緣閘雙極電晶體(IGBT)等功率元件市場，車用電子已成為國際IDM大廠重要的主戰場，隨著IDM廠擴大車用市場戰火，台系晶片業者及中後段委外代工業者亦積極搶攻相關元件灘頭堡。
晶片業者表示，國際IDM廠紛將獲利最豐厚的車用產品留在自家產製，造成一般中低壓MOSFET供應缺口，台系晶片業者明顯受惠於轉單效應，面對IDM廠持續鎖定車用高壓MOSFET市場，並擴大中後段委外代工力道，包括晶圓代工、封測代工及薄化製程代工相關業者可望雨露均霑。
目前包括世界先進、漢磊、茂矽、捷敏、菱生、昇陽及宜特等業者，均積極耕耘車用MOSFET商機，功率元件業者坦言，在被視為新能源車動力核心等級的IGBT元件或模組等領域，由英飛凌(Infineon)、三菱(Mitsubishi)等國際大廠獨霸態勢，短期內很難改變。
儘管台系晶圓代工廠能夠協助IDM廠製作車用IGBT元件的正面製程，但針對難度大增的背面加工製程，國際IDM廠仍是拉回原廠製造，目前台廠能夠鎖定的IGBT市場，主要仍在工控或變頻家電領域，由於IGBT設備投資驚人，加上車廠Tier 1供應鏈對於採用新進廠商產品非常保守，成為台廠不易跨過的門檻。
車用MOSFET是台廠相對有機會切入的市場，業者估計全球MOSFET市場規模約65億美元，前五大業者為英飛凌、快捷(Fairchild)、瑞薩(Renesas)、意法(STM)及東芝(Toshiba)，在國際IDM廠把持下，台廠在晶片端較難卡位市場。
不過，在晶圓代工、封測代工、薄化代工等領域，台系供應鏈可望爭取到IDM廠長期穩健的訂單，成為眾廠努力的目標。其中，近期竄出的中段晶圓薄化製程，隨著功率元件在新能源車應用需求大增，重新獲得市場關注。
功率元件業者指出，全球IDM廠約有8成薄化製造留在自家工廠，僅有20%釋出委外代工，目前全球功率元件薄化需求單月約達200萬~220萬片(8吋約當量)，其中，MOSFET的比重接近一半，成為台系供應鏈兵家必爭之地。
至於台廠爭取IDM廠釋出委外薄化代工訂單，關鍵將在於超高良率，業者估計至少需要達到99.8~99.85%的嚴格良率要求，IDM廠才會安心將大單委託給台系業者，而在這樣極高的良率下，台廠也才有可能獲取較大的利潤。
近期台廠頻頻與歐、日系IDM大廠接洽，展開中長期布局，市場並傳出歐系IDM大廠將在台投資車用MOSFET中段加工生產線，未來在車用高功率元件領域，MOSFET將是台廠最有機會切入，且必須積極先行攻下的灘頭堡
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