功率半導體元件或簡稱功率元件，是電子裝置的電能轉換與電路控制的核心;主要用途包括變頻，整流，變壓，功率放大，功率控制等，並同時可具有節能的功效，因此功率元件廣泛應用於移動通訊，消費電子，新能源交通等眾多領域。
其中，金屬氧化半導體場效電晶體（MOSFET）自1980年年即進入電子商業應用，主要用在PC，NB等消費性電子的主機板跟電路板上，屬中低壓市場，在900V以上的高壓領域較無用武之地，而絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）的發明，則滿足大功率化與高頻化的需求，自1988年以來已進展至第六代產品，成為目前高壓電子產品之主流應用。
功率元件全球市場規模約140億美元，佔全球半導體市場的3.5％，其中MOSFET規模約68億美元，IGBT約12.6億美元，佔功率半導體元件分別為48％與9％;根據IEK調查指出，近年受惠電動汽車與油電混和車快速發展，汽車電子化比重提升以及手機快充，物聯網（IOT）新應用興起，功率元件在提高能源轉換效率上佔據重要地位，產業需求逐漸提升;而未來電動車半導體的需求為傳統汽車的兩倍以上，預期MOSFET等功率元件用量將大幅提升。
MOSFET與IGBT市場過去皆呈大廠寡占的態勢，英飛凌，安森美與瑞薩佔MOSFET市場近50％，IGBT市場英飛凌，三菱電機與富士電機三家市佔率更達61％;此類IDM垂直整合大廠以英飛凌為首，均優先將產能給毛利率較高的新產品，相繼退出中低壓MOSFET一般消費性產品線，導致MOSFET供需缺口擴大，使台廠自去年第2季開始即逐漸感受到轉單效應，預料這股缺貨風潮恐將持續下去。
在晶圓供給方面，MOSFET與IGBT產品考量8吋光罩費用僅12吋的1/10，加以功率元件還有不漏電的要求，尚無法做到尺寸微縮等原因，台灣與大陸的MOSFET功率元件IC設計公司都投產在8吋晶圓廠;然由於指紋辨識，影像感測器（CIS），電源管理（ICPMIC）等IC產品，受到資安需求提升，對8吋晶圓需求亦增加，致使全球8吋晶圓投片量提升。
MOSFET市場的供需失衡，讓台廠迎來多年以來難得的成長契機，上游IC設計方面，大中（6435），傑力（5299）在PC市場與消費性電子產品較具競爭優勢，預計下半年供需仍吃緊態勢下，對下游的議價能力轉強，有助其獲利表現;在晶圓生產方面，世界先進（5347）8吋產能滿載，加上電源管理營收佔比持續提升改善產品組合，未來營運展望樂觀。
此外，隨著氮化鎵（GaN）的相關分離式元件的制程研發，對IGBT等高壓市場需求增強，強茂（2481）預期未來能搭上IGBT代工潮，且積極導入自動化並進行車規認證，目前產能滿載，2018年預估產品平均漲幅15〜20％，後續成長可期; MOSFET及IGBT等產品雖早已應用於電子產品，然近年市況匹變，需求大增，將迎來一場功率半導體元件的逆襲。
（工商時報）
https://www.chinatimes.com/newspapers/20180715000217-260202